1.閃存顆粒內(nèi)部

    今天簡單介紹一下，電腦、手機(jī)、通訊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、存儲(chǔ)設(shè)備等電子設(shè)備常看到的顆粒，都會(huì)有內(nèi)存與閃存    首先講下電腦內(nèi)存，電腦內(nèi)存條是由內(nèi)存顆粒與ＰＣＢ等貼片電容組成電腦內(nèi)存顆粒就是DRAM顆粒。

2.閃存顆粒長什么樣

DRAM顆粒是焊在PCB上的不知道你觀察過內(nèi)存條的PCB沒有，PCB上有一些貼片電容這些電容是給DRAM顆粒供電的而且每個(gè)周期結(jié)束后，在另一個(gè)周期開始前，都要重新充能擴(kuò)容盤如何恢復(fù)真實(shí)容量，這就是刷新DRAM顆粒更耗電，數(shù)據(jù)庫也有苦說不出。

3.閃存顆粒通用嗎

一旦在周期結(jié)束后沒有刷新，DRAM顆粒里的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失    而閃存顆粒就是NAND Flash，一般簡稱NAND顆粒NAND顆粒的原理就是電子具有導(dǎo)電性如果要寫入0，就析出電子，如果要寫入1就釋放電子。

4.閃存顆粒壽命和性能

如果要讀取，就加電壓，如果導(dǎo)通就說明里面有電子，就是1，不導(dǎo)通就說明沒有電子，就是0因?yàn)檫@玩意一旦寫入就可以一直在那里，所以這是ROM，DRAM顆粒和SRAM顆粒都是RAM顆粒其實(shí)SRAM顆粒還能再分，像EPROM、EEPROM，還有極其特殊的NOR等等。

5.閃存顆粒的原理

因?yàn)镹AND顆粒需要調(diào)整電子數(shù)擴(kuò)容盤如何恢復(fù)真實(shí)容量量，這玩意和金屬一樣，搞多了會(huì)疲勞，所以有壽命而DRAM顆粒因?yàn)槠鋬?nèi)部是晶體管，所以沒有實(shí)體寫入，也就沒有所謂的壽命常見內(nèi)存區(qū)分：DDR,LPDDR,NAND Flash，eMMC,eMCP的區(qū)別

6.閃存顆粒內(nèi)部結(jié)構(gòu)

NAND FLASH（閃存）、DRAM（DDR2/DDR3/DDR4）、LPDDR2/LPDDR3/LPDDR4、eMMC、MCP、eMCP、SSD，其實(shí)他們的區(qū)別很簡單，主要分為三個(gè)大的方向就掌握了1

7.閃存顆粒的內(nèi)容怎么讀取

，內(nèi)存DDR/DDR2/DDR3/DDR4 是內(nèi)存顆粒，內(nèi)存條是把多顆顆粒一起嵌入板中而成，用于電腦等。也就是大家常說的電腦幾代內(nèi)存。DDR2為二代，DDR擴(kuò)容盤如何恢復(fù)真實(shí)容量3為三代等

8.閃存顆粒漲價(jià)

LPDDR2/LPDDR3/LPDDR4這些主要用于手機(jī)等移動(dòng)電子設(shè)備，體積非常小，功耗小。2，F(xiàn)lash（閃存）

9.閃存顆粒的種類

Flash分為Nor Flash和NNAD FlashNor Flash容量較小，價(jià)格貴，用于讀取速度要求快的地方，多用于存儲(chǔ)操作系統(tǒng)重要信息NNAD Flash容量大，價(jià)格相對(duì)于Nor Flash較低。

10.閃存顆粒的功能

用于大容量的外部存儲(chǔ)例如 華為p20 內(nèi)存配置：6G+64G   6G指LPDDR4容量是6G，64G指NAND Flash是64G3，嵌入式存儲(chǔ)eMMC、MCP、eMCP都是NNAD Flash顆粒封裝制成。

eMMC擴(kuò)容盤如何恢復(fù)真實(shí)容量=NNAD Flash + 主控（存儲(chǔ)控制管理芯片）eMCP=eMMC + LPDDR另SSD固態(tài)硬盤，也是由NNADFlash顆粒陣列加上相應(yīng)的存儲(chǔ)控制管理芯片封裝而成。下章介紹電腦內(nèi)存

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